In 1934 German physicist Dr. Oskar Heil patented another field-effect transistor. Vào năm 1934, nhà vật lí người Đức Oskar Heil lại đăng kí sáng chế một transistor hiệu ứng trường khác.
In 1934 German physicist Dr. Oskar Heil patented the field-effect transistor. Vào năm 1934, nhà vật lí người Đức Oskar Heil lại đăng kí sáng chế một transistor hiệu ứng trường khác.
As field-effect transistors, they even may not need a p–n junction,[103] thus avoiding the p-type doping problem of ZnO. Khi transistor hiệu ứng trường, họ thậm chí không có thể cần ap-n ngã ba, [ 69 ] do đó tránh các vấn đề pha tạp loại p-ZnO.
As field-effect transistors, they even may not need a p–n junction,[66] thus avoiding the p-type doping problem of ZnO. Khi transistor hiệu ứng trường, họ thậm chí không có thể cần ap-n ngã ba, [ 69 ] do đó tránh các vấn đề pha tạp loại p-ZnO.
Dennard's U.S. patent, for the technology, granted in 1968, is titled "Field-Effect Transistor Memory." Bằng sáng chế của Dennard ở Hoa Kỳ, cho công nghệ, được cấp năm 1968, có tiêu đề "Bộ nhớ Transistor hiệu ứng trường".
The junction gate field-effect transistor (JFET or JUGFET) is one of the simple type of field-effect transistor. Transistor JFET là transistor hiệu ứng trường cổng nối (junction gate field-effect transistor), là loại đơn giản của transistor hiệu ứng trường.
The junction gate field-effect transistor (JFET or JUGFET) is one of the simple type of field-effect transistor. Transistor JFET là transistor hiệu ứng trường cổng nối (junction gate field-effect transistor), là loại đơn giản của transistor hiệu ứng trường.
Junction gate field effect transistor (JFET or JUGFET) is the simplest type of field effect transistor. Transistor JFET là transistor hiệu ứng trường cổng nối (junction gate field-effect transistor), là loại đơn giản của transistor hiệu ứng trường.
Junction gate field effect transistor (JFET or JUGFET) is the simplest type of field effect transistor. Transistor JFET là transistor hiệu ứng trường cổng nối (junction gate field-effect transistor), là loại đơn giản của transistor hiệu ứng trường.
First manufactured in 1963 the field effect transistor had great advantages in that the gate consumed virtually no current. Lần đầu tiên được sản xuất năm 1963 transistor hiệu ứng trường có lợi thế rất lớn trong đó các cửa khẩu tiêu thụ hầu như không có hiện tại.